1, l'effet de la diode à capacité variable est un dispositif à semi-conducteur utilisant une capacité variable entre la jonction PN en principe, comme un condensateur variable utilisée dans l'accord à haute fréquence, les circuits de communication. Varactor appartiennent diode polarisée en inverse, une tension de polarisation inverse à changer sa jonction PN, vous pouvez modifier la capacité de jonction PN. Plus la capacité de jonction inverse biais du moins, la relation inverse entre la tension de polarisation et de la capacité de jonction est non linéaire, comme illustré à droite. 2, illustrant la relation entre la diode à capacité variable et la valeur de capacité des valeurs de polarisation inverse: (a) une polarisation inverse, ce qui entra?ne des augmentations de capacité réduite, (b) réduire la polarisation inverse, entra?nant une augmentation de capacité. gamme d'erreur est une gamme de capacité varactor capacité prédéterminée. Tableau de données affiche le minimum, les valeurs nominales et maximales, qui attirent souvent sur la carte. FET est un Qingdao diode de transistor unipolaire, qui ne dispose que d'une jonction PN, à l'état de polarisation nulle, il est conducteur, si elle est appliquée à la borne (S) entre sa grille (G) et la source une tension de polarisation inverse (appelé polarisation de grille) dans le champ électrique inverse épaissir PN (appelée la région d'appauvrissement) canal se rétrécit Shandong diode, le courant de drain est plus petite (en C1-b) la tension de polarisation inverse atteint un certain temps, la région d'appauvrissement sera entièrement canal 'pincer', cette fois, le FET à l'état bloqué est montré Cc, en ce moment nous appelons polarisation inverse de la tension de pincement, avec Vpo dit qu'il Vgs entre la tension de grille et la tension drain-source Vds et peut presque être exprimée comme Vpo = VPS + | VGS | diodes, où | VGS |. est la valeur absolue de VGS au moment de la fabrication du FET, si la porte matériau est ajouté avant, avec une fine couche de la première couche isolante sur le canal, le courant de grille est fortement réduite, mais aussi d'augmenter considérablement l'impédance d'entrée du fait de la présence de la couche isolante, le FET peut être Biais positif dans l'état, nous appelons cela une grille isolée à effet de champ transistor FET, également connu sous le MOS FET, afin FET a deux types, l'un est régulateurs FET isolé du type à grille diode, il peut travailler en polarisation inverse, polarisation nulle et l'état de polarisation de l'avant, on est le FET jonction type à grille, il ne peut fonctionner que dans un état de polarisation inverse. diodes de commutation, la diode, le crédit d'or de Qingdao L'intégrité de Technology Co., Limited. Qingdao intégrité Technology Co., Ltd (www.qdjcx.com) forte, crédible, à Qingdao, Shandong industrie diode a accumulé un grand nombre de clients fidèles. La société meilleure attitude de travail et l'amélioration constante des idées novatrices permettront crédit d'or dans le brillant et vous travailler pour un avenir meilleur!